“易失性存储”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8212983个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储门及其动作方法、及非易失性存储门装入型逻辑电路及其动作方法-CN200980107095.4有效
发明人：木村启明;渊上贵昭;藤森敬和 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储门装入型逻辑电路，其装入电源断开后也可以保持数据的非易失性存储门，当进入待机状态时，可以同时断开电源。非易失性存储门装入型逻辑电路(10)具备具有逻辑门(16)的逻辑运算部(14)和非易失性存储门(12)，所述非易失性存储门(12)具有：非易失性存储部(18)；数据接口控制部(22)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收用于向非易失性存储部(18)的数据写入及从非易失性存储部(18)的数据读取的非易失性存储控制信号(NVCTL)；易失性存储部(24)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收数据输入信号
非易失性存储及其动作方法装入逻辑电路

[发明专利]一种存储数据的方法及装置-CN201410419611.X有效
发明人：曲锐;林冬冬 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种存储数据的方法及装置，该方案中确定电量满足预设条件时，计算电量支持将数据从易失性存储介质搬移至非易失性存储介质的数据大小；将计算得到的数据大小的待写入的数据写入至易失性存储介质，并从易失性存储介质搬移至非易失性存储介质，这样，即使备用电源的电量不是100％时，计算电量支持将数据从易失性存储介质搬移至非易失性存储介质的数据大小，并将计算得到的数据大小的数据先写入至易失性存储介质，然后，再从易失性存储介质搬移至非易失性存储介质，因此，可以提高了存储数据过程中的存储效率。
一种存储数据方法装置

[发明专利]非易失性存储电路-CN201980015138.X在审
发明人：平贺启三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：本技术涉及一种非易失性存储电路，该非易失性存储电路在维持稳定写入的同时允许小型化和降低的功耗。该非易失性存储电路设置有：存储信息的易失性存储部；以及非易失性存储部，通过存储操作将所述易失性存储部中的信息写入所述非易失性存储部中，并且通过恢复操作经由与用于所述存储操作的存储路径不同的恢复路径，将信息从所述非易失性存储部读出到所述易失性存储部中，其中沿着所述存储路径配置的所有晶体管使其漏极连接在一起。
非易失性存储电路

[发明专利]包括不同类型的存储单元的半导体器件-CN201811541111.8在审
发明人：田昌勋;申有哲;林浚熙;白圣权;李赞镐;张源哲;黄善劲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板。易失性存储区包括设置在基板中的单元电容器和连接到单元电容器的单元晶体管。非易失性存储区包括设置在基板上的多个非易失性存储单元。易失性存储区和非易失性存储区被并排设置。
非易失性存储区易失性存储基板半导体器件单元电容器非易失性存储单元单元晶体管并排设置存储单元

[发明专利]抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法-CN200810177916.9有效
发明人：李昌炫;徐康德;林瀛湖;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。
抑制寄生电荷积累非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]复合存储电路和包括复合存储电路的半导体装置-CN03823117.4无效
发明人：森山胜利;森宽伸;冈崎信道 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种复合存储电路，其包括包含相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路的存储电路，通过向非易失性存储电路存储与存储在易失性存储电路中相同的存储信息，该复合存储电路布置成具有瞬时接通功能，并能减少功耗，还提供一种包括该复合存储电路的半导体装置。根据本发明，在复合存储电路和包括该复合存储电路的半导体装置中，提供了判定电路用于当向非易失性存储电路写入易失性存储电路中存储的存储信息时，比较存储在易失性存储电路中的第一存储信息与已经存储在非易失性存储电路中的第二存储信息，所述复合存储电路包括相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路，并且仅当第一存储信息与第二存储信息不一致时，才向非易失性存储电路写入第一存储信息。
复合存储电路包括半导体装置

[发明专利]将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法-CN200510097425.X无效
发明人：尹熙撤;全裕成;崔明洵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种考虑更新率来将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法。所述设备包括：非易失性海量存储单元；非易失性高速缓冲存储器单元；和存储器控制器，控制非易失性海量存储单元和非易失性高速缓冲存储器单元，并基于数据更新率来选择性地将数据存储在非易失性海量存储单元或非易失性高速缓冲存储器单元中所述方法包括：接收存储数据的请求；和根据数据更新率来选择性地将数据存储在非易失性海量存储单元或非易失性高速缓冲存储器单元中；其中，如果更新率大于阈值，那么所述数据被存储在非易失性高速缓冲存储器单元中。
数据存储非易失性高速缓冲存储器中的设备方法

[发明专利]多位非易失性随机存取存储器单元-CN201680066177.9有效
发明人： J.坦定甘;J.艾伦;D.斯蒂尔;J.阿肖克库马尔 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：公开了多位非易失性随机存取存储器单元。该多位非易失性随机存取存储器单元可以包括易失性存储元件和非易失性存储电路。该非易失性存储电路可以包括连接到易失性存储元件的数据真值(DT)节点的至少一个第一通路晶体管和连接到易失性存储元件的数据补码(DC)节点的至少一个第二通路晶体管。该非易失性存储电路还可以包括多个非易失性存储元件。每个非易失性存储元件可以被配置为选择性地可经由该至少一个第一通路晶体管连接到易失性存储元件的DT节点，并且选择性地可经由该至少一个第二通路晶体管连接到易失性存储元件的DC节点，允许多位非易失性随机存取存储器单元每单元存储
易失性存储元件非易失性随机存取存储器通路晶体管多位非易失性存储电路非易失性存储元件单元存储补码配置

[发明专利]非易失性存储方法及装置-CN201810727728.2有效
发明人：刘琦;赵晓龙;吴祖恒;刘宇;张凯平;路程;张培文;赵盛杰;姚志宏;余兆安;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提出了一种非易失性存储方法及装置；其中，该非易失性存储方法，包括：将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元；以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度，由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转变器件作为存储单元可提高阻变存储阵列的存储密度，减少加工步骤，降低制作成本。
非易失性存储方法装置

[发明专利]非易失可编程芯片及存储装置-CN202111035664.8在审
发明人：周骏;郭一欣;左丰国;古倩 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失可编程芯片及存储装置。该非易失可编程芯片包括：动态随机存储组件和非易失性存储组件；其中，动态随机存储组件集成有动态随机存储阵列；非易失性存储组件与动态随机存储组件层叠并键合连接，非易失性存储组件集成有非易失性存储阵列，非易失性存储阵列用于存储动态随机存储阵列中数据对应的备份数据该非易失可编程芯片能够对动态随机存储组件中的数据进行保护与恢复，且集成密度较高。
非易失可编程芯片存储装置

[发明专利]电子电路-CN200510023039.6无效
发明人： C·奥尔霍夫;H·－C·奥斯滕多夫;S·戈尔默 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-11-12 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：一种电子电路，包括易失性存储单元和非易失性存储单元，其中非易失性存储单元存储有关易失性存储单元的修复信息。该非易失性存储单元和易失性存储单元由连接装置连接在一起，并形成单独的电路模块。
电子电路

[发明专利]复合存储电路及具有该电路的半导体器件-CN03806891.5无效
发明人：森山胜利;森宽伸;塚崎久畅 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-02-07 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够高速执行写入操作和读出操作的复合存储电路，由此来提供一种能够实现瞬时接通和瞬时关机功能的半导体装置。复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。还有一种由所述复合存储电路组成的半导体装置。
复合存储电路具有半导体器件

[发明专利]数据传输方法及系统、服务节点、存储装置-CN201910300935.4有效
发明人：张海龙;董朝晖;黄乐 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G06F16/23 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据传输方法及系统、服务节点、存储装置。其中，该方法由服务节点执行，服务节点预设有多个连接接口，多个连接接口分别用于与不同类型的易失性存储系统实现数据传输，该方法包括：接收非易失性存储系统发送的目标连接信息；确定目标连接信息指向的易失性存储系统，并通过相应的连接接口与易失性存储系统连接；在接收到非易失性存储系统或易失性存储系统发送的数据获取请求时，实现非易失性存储系统与易失性存储系统之间的数据传输。上述方案，能够实现非易失性存储系统与多种不同类型的易失性存储系统之间的数据传输。
数据传输方法系统服务节点存储装置

[发明专利]非易失性存储装置、非易失性存储系统及存取装置-CN200880001867.1无效
发明人：中西雅浩;加藤勇雄;外山昌之;足立达也;中垣浩文;前田卓治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：由存取装置对非易失性存储装置存取时，非易失性存储装置或存取装置测出或算出非易失性存储装置的温度(T)。非易失性存储装置的温度适应型控制部基于温度(T)来控制对非易失性存储器的存取速率。而且，不使非易失性存储装置的温度(T)超过极限温度(Trisk)。从而，非易失性存储装置取出时无烫伤之危险，且能够构成可高速读写的非易失性存储系统。
非易失性存储装置存储系统存取

[发明专利]具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置-CN201310532311.8有效
发明人： S·C·巴特林;S·卡纳 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种处理装置(100)，使用多个易失性存储元件(120)操作。多个易失性存储元件(120)的N组的每组的M个易失性存储元件通过使用多路复用器(212)被连接到多个非易失性逻辑元件阵列中的N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)。多路复用器(212)连接N组中的一组到N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)以一次将来自M个易失性存储元件(120)的数据存储到N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)的一行中，或者一次将来自N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)的一行的数据写入到M个易失性存储元件(120)。相应的非易失性逻辑控制器(106)控制多路复用器(212)关于易失性存储元件(120)和非易失性存储元件(110)之间的连接的操作。
具有非易失性逻辑阵列备份相关应用处理装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条